AlGaN和GaN複合緩衝層,掌握生長複合緩衝層厚度差異的技術, 可減緩GaN 和Si基板之間應力問題,改善晶圓缺陷,提供高水準元件性能和可靠度。
8吋GaN(氮化鎵)磊晶的研發及客戶產品正進行驗證,目前進展順利。嘉晶6吋SiC擴產計畫符合預期進度,產能自第二季起逐步開出。展望後市,2024年預期下半年 ...
本網站所有資料僅供參考,如使用者依本資料交易發生交易損失需自行負責,本網站對資料內容錯誤﹑更新延誤不負任何責任。